Piyezoelektrik ve Dielektrik Elemanlarının standartta belirtilen tüm işlemleri gereken metotların tamamı uygulanarak test ederek belgelendirme işlemlerinizi gerçekleştiriyoruz.
TS EN 168101 Boş detay özellikleri: Kuartz kristal birimler (yeterlilik kabulü)
TS EN 168201 Boş detay özellikleri: Kuartz kristal birimler (kalite onayı)
TS EN 169201 Boş detay özellikleri: Kuartz kristal kontrollü osilatörler (kalite onayı)
TS EN 60444-1 Kuvartz kristal birimi parametrelerinin bir şebekede sıfır faz tekniği ile ölçülmesi - Bölüm 1
TS EN 60368-2-2 Piezoelektrik süzgeçler - Bölüm 2: Piezoelektrik süzgeçlerinin kullanım kılavuzu - Kısım 2: Piezoelektrik seramik süzgeçler (ıec60368-2-2:1999)
TS EN 170100 Bölüm özelliği standardı- Dalga kılavuz tipli dielektrik rezonatörler
TS EN 170101 Boşluk özelliği- Dalga kılavuz tipli dielektrik rezonatörler- Yetenek onayı
TS EN 60368-4-1 Kalite değerlendirmesi yapılmış piyezoelektrik süzgeçler - Bölüm 4-1: Boş detay özelliği - Yetenek onayı
TS EN 60679-5 Kuvars kristal kontrollü osilatörler-Kalite kontrolü yapılmış-Bölüm 5: Bölüm özelliği-Kalite onayı
TS EN 60679-5-1 Kuvars kristal kontrollü osilatörler-Kalite kontrolü yapılmış-Bölüm 5: Boş detay özelliği-Kalite onayı
TS EN 60368-4 Kalitesi değerlendirmesi yapılmış piyezoelektrik süzgeçler bölüm 4: Bölüm özelliği - Yetenek onayı
TS EN 60368-4-1 Kalitesi değerlendirmesi yapılmış piyezoelektrik süzgeçler - Bölüm 4-1: Boş detay özelliği - Yetenek onayı
TS EN 60444-7 Kuvartz kristal birim parametrelerinin ölçülmesi - Bölüm 7: Kuvartz kristal birimlerinin çalışmasının ve frekans azalmalarının ölçülmesi
TS EN 60444-8 Kuvartz kristal birim parametrelerinin ölçülmesi - Bölüm 8: Yüzeye takılan kuvartz kristal birimleri için deney fikstürü
TS EN 60122-1 Kalite değerlendirmesi yapılmış kuvars kristal birimler - bölüm 1: Genel özellik standardı
TS EN 60444-1/A1 Kuvartz kristal birimi parametrelerinin bir şebekede sıfır faz tekniği ile ölçülmesi - Bölüm 1
TS EN 168201 Kuartz kristal birimler (kalite onayı)-Boş detay özellikleri
TS EN 60444-1/A1 Kuvars kristal birim parametrelerinin bir pi devresinde sıfır faz tekniğiyle ölçülmesi bölüm 1: Bir pi devresinde sıfır faz tekniğiyle kuvars kristal birimlerin rezonans direncinin ve rezonans frekansının ölçülmesi için temel metod
TS EN 60444-9 Kuvartz kristal birim parametrelerinin ölçülmesi - Bölüm 9: Piyezoelektrik kristal birimlerin sahte rezonanslarının ölçülmesi
TS EN 60684-2 Bükülgen yalıtıcı manşon- Bölüm 2: Deney metotları
TS EN 62604-2 Kaitesi değerlendirilmiş yüzey akustik dalga (SAW) ve yığın akustik dalga (BAW) çiftleyicileri
TS EN 60122-3 Kalite değerlendirmesi yapılmış kuvars kristal birimler - bölüm 3 :Standard ana boyutlar ve bacak bağlantıları
TS EN 60368-3 Kalite değerlendirmesi yapılmış piyezoelektrik süzgeçler - Bölüm 3: Standard ana boyutlar ve bacak bağlantıları
TS EN 61837-1 Frekans kontrol ve seçimi için yüzeye kaplanan peielktrik cihazlar - Standard taslaklar ve ön uç bağlantıları - Bölüm 1: Plastik dökümlü kaplama taslakalar
TS EN 62575-2 Radyo frekansı (RF) akustik dalga filtreleri (BAW) kalite değerlendirmesi - Bölüm 2: Kullanım kılavuzu
TS EN 60679-3 Sıvı kristal kontrollü osilatörler - Kalite değerlendirmesi yapılmış - Bölüm 3: Standard ana hatlar ve bacak bağlantıları
TS EN 60444-6 Kuartz kristal birim parametrelerinin ölçümü-Bölüm 6: Sürücü seviye bağımlılığının ölçümü (ssb)
TS EN 61837-2/A1 Frekans kontrolü ve seçme için yüzey monteli piyezoelektrik elemanlar - Standard ana hatlar ve terminal uç bağlantıları - Bölüm 2: Seramik mahfazalar
TS EN 62761 Radyo frekansında (RF) yüzeysel akustik dalga (SAW) ve hacimsel akustik dalga (BAW) elemanlarında doğrusalsızlık ölçme yöntemi için ana esaslar
TS EN 62575-1 Kalitesi değerlendirilmiş radyo frekans (RF) toplu akustik dalga (BAW) filtreleri - Bölüm 1: Genel standard
TS EN 62604-1 Kalitesi değerlendirilmiş yüzeysel akustik dalga (SAW) ve toplu akustik dalga (BAW) dublekser - Bölüm 1: Genel standard
TS EN 60862-1 Niteliği tayin edilmiş yüzey akustik dalga (saw) süzgeçleri: Bölüm 1: Genel özellik standardı
TS EN 61837-3 Frekans kontrolü ve seçimi için yüzeye monteli pizoelektronik cihazlar- Standard çerçeveler ve uç bakır bağlantıları- Kısım 3: Metal kaplayıcılar
TS EN 60758 Sentetik kuvars kristali - Özellikler ve kullanım yönergeleri
TS EN 62276 Yüzey akustik dalga (saw) devre uygulamaları için tek kristalli plakalar - Özellikler ve ölçme metotları
TS EN 61240 Piezoelektrik elemanlar - Frekans kontrolü ve seçimi için yüzey monteli elemanların (SMD) anahat çizimlerinin hazırlanması - Genel kurallar
TS EN 50324-1 Seramik malzemeler ve bileşenlerin piezoelektrik özellikleri-Bölüm 1: Terimler ve tarifler
TS EN 50324-2 Seramik malzemeler ve bileşenlerin piezoelektrik özellikleri-Bölüm 2: Ölçme metotları düşük güç
TS EN 50324-3 Seramik malzemeler ve bileşenlerin piezoelektrik özellikleri-Bölüm 3: Ölçme metotları-Yüksek güç
TS EN 61967-5 Tümleşik devreler - 150 khz - 1 ghz elektromanyetik yayınların ölçülmesi - Bölüm 5: Temaslı yayınların ölçülmesi - Tezgah faraday kafes metodu
TS EN 61967-6 Tümleşik devreler - 150 khz - 1 ghz elektromanyetik yayınların ölçülmesi - Bölüm 6: Temaslı yayınların ölçülmesi - Manyetik prop metodu
TS EN 61967-4/A1 Tümleşik devreler-150 khz ila 1 ghz aralığındaki elektromanyetik yayılımın ölçülmesi-Bölüm 4: İletilen yayılımın ölçülmesi-1 /150 doğrudan çiftlendirme metodu
TS EN 61967-6/A1 Tümleşik devreler - 150 khz - 1 ghz elektromanyetik yayınların ölçülmesi - Bölüm 6: Temaslı yayınların ölçülmesi - Manyetik prop metodu
TS EN 62090 Barkod ve iki boyutlu semboller kullanan elektronik bileşenler için ürün paket etiketleri
TS EN 62132-5 Tümleşik devreler - 150 khz ila 1 ghz frekans aralığı için elektromanyetik bağışıklık ölçümleri - Bölüm 5: Deney masasına ilişkin faraday kafes metodu
TS EN 62132-3 Tümleşik devreler - 150 khz ila 1 ghz frekans aralığı için elektromanyetik bağışıklık ölçümleri - Bölüm 3: Yığın akım enjeksiyon metodu
TS EN 62132-4 Tümleşik devreler - 150 khz ila 1 ghz frekans aralığı için elektromanyetik bağışıklık ölçümleri - Bölüm 4: Doğrudan rf gücünü araya girme metodu
TS EN 62132-2:2011 Tümleşik devreler - Elektromanyetik bağışıklık ölçümleri - Bölüm 2:Işınlanmış bağışıklık ölçümleri- Tem hücresi ve geniş band tem hücre yöntemi
TS EN 62258-5 Yarı iletken kalıplama ürünleri - Bölüm 5: Elektrik benzetimine ilişkin bilgi için kurallar
TS EN 62258-6 Yarı iletken kalıplama ürünleri - Bölüm 6: Isıl benzetimine ilişkin bilgi için kurallar
TS EN 62417 Yarı iletken cihazlar - Metal oksit yarı iletken alan etkili transistörler (mosfet) için mobil iyon deneyleri
TS EN 62433-2 Emu ıc modelleme - Bölüm 2: Emı davranış simülasyonu için tümleşik devre modelleri - İletim yoluyla yayınımların modellemesi (ıcem-Ce)
TS EN 165000-1 Film ve hibrit tümleşik devreler - Bölüm 1: Genel özellikler - yetenek onay işlemi
TS EN 165000-2 Film ve hibrit tümleşik devreler - bölüm 2: İçten gözle muayene ve özel deneyler
TS EN 165000-3 Film ve hibrit tümleşik devreler - Bölüm 3: Film ve hibrit tümleşik devre imalatçıları için öz denetim kontrol listesi ve rapor
TS EN 165000-4 Film ve hibrit tümleşik devreler - Bölüm 4: Müşteri bilgileri, ürün değerlendirme seviye planları ve boş detay özelliği
TS EN 165000-5 Film ve hibrit tümleşik devreler - Bölüm 5: Kalite onay işlemi
TS EN 190000 Genel özellikler: Monolitik entegre devreler
TS EN 190100 Bölüm özellikleri: Sayısal monolitik entegre devreler
TS EN 190101 Aile özellikleri: Sayısal entegre ttl devreler, 54, 64, 74, 84 serileri
TS EN 190102 Aile özellikleri: Ttl schottky sayısal entegre devreler, 54s, 64s, 74s, 84s serileri
TS EN 190103 Aile özellikleri: Sayısal entegre ttl düşük güçlü schottky devreler, 54ls, 64ls, 74ls, 84ls serileri
TS EN 190106 Aile özellikleri: Ttl gelişmiş düşük güçlü schottky sayısal entegre devreler, 54als ve 74als serileri
TS EN 190107 Aile özellikleri: Ttl hızlı sayısal entegre devreler, 54f ve 74f serileri
TS EN 190108 Aile özellikleri: Ttl gelişmiş schottky sayısal entegre devreler, 54as ve 74as serileri
TS EN 190109 Aile özellikleri: Sayısal entegre hc mos devreler, hc/hct/hcu serileri
TS EN 190110 Boş detay özellikleri: Sayısal mikro işlemci entegre devreler
TS EN 190116 Aile özellikleri: Ac mos sayısal entegre devreler